RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
42
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
41
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1512
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link