RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2140
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link