RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston 9965589-006.E00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
10.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2140
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link