RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston 9965589-006.E00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
10.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2140
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link