RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston 9965589-006.E00G 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston 9965589-006.E00G 8GB

Kingston 9965589-006.E00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 32
    Около 9% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.4 left arrow 10.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.0 left arrow 7.3
    Среднее значение в тестах
Kingston 9965589-006.E00G 8GB Причины выбрать
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.4 left arrow 10.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 7.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2423 left arrow 2140

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB

Kingston 9965589-006.E00G 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
модули RAM
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
модули RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
модули RAM
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
модули RAM