RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
66
Wokół strony -187% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1810
4043
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link