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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
66
左右 -187% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
8.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
23
读取速度,GB/s
16.1
21.2
写入速度,GB/s
8.3
17.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1810
4043
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
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