RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
63
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
63
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
1863
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link