RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
3337
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link