RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3337
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link