RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
3568
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link