RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3568
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link