RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
32
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2895
2461
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link