RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2209
2852
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link