RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2412
3106
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link