RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3715
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link