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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
16.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
60
Por volta de -131% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
16.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3715
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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