RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
25.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
21.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2412
4252
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link