RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3738
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link