RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3017
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link