RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
60
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
60
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
2.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2412
1505
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link