RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3171
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link