RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
70
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3649
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link