RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
70
Около -126% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
20.5
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3649
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link