Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 13.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 46

Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.2 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 3200

Около 6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 26
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 13.8
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 19200

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2456

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB

Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston X2YH1K-MIE 16GB

Kingston X2YH1K-MIE 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM