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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
2,909.8
13.8
写入速度,GB/s
1,519.2
9.2
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2456
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
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Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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