Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Punteggio complessivo
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 20.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    3,071.4 left arrow 15.5
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 70
    Intorno -126% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 6400
    Intorno 4 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    70 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,372.7 left arrow 20.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    3,071.4 left arrow 15.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    668 left arrow 3649
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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