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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Puntuación global
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Puntuación global
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
70
En -126% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,372.7
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3649
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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