RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
50
En -22% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
41
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
2058
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link