RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
61
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
61
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
2028
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link