RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
71
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3008
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link