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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
2
16.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
71
周辺 -129% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
31
読み出し速度、GB/s
2,831.6
16.7
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
13.4
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
3008
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
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Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
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