RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
79
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
79
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
1651
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link