RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
24
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
18
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3507
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link