RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3507
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link