RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
44
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
3036
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link