RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
45
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
1900
Wokół strony 6.74% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
45
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
1900
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
2387
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link