RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.4
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2831
2124
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link