RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
13.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3398
3060
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
INTENSO 5641160 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link