RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3583
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link