RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3583
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link