RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
46
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
46
Prędkość odczytu, GB/s
15.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2597
2660
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link