RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Compara
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
46
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
9.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
46
Velocidad de lectura, GB/s
15.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2597
2660
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link