RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,027.0
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
52
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,837.1
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,027.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
794
2808
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link