RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,027.0
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
52
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,837.1
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,027.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
794
2834
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link