RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2888
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link