RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,027.0
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,837.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,027.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
794
3142
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link