RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2913
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link