RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3252
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link