RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
52
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
2,027.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,837.1
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,027.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
794
2238
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link