RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
52
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
2,027.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,837.1
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,027.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
794
2481
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link