RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,135.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
5,021.4
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,135.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2361
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link